Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 1 O, 6,8 A, IPAK (TO-251), Su foro

Il Infineon Cool MOS CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e, come moderna super giunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. 600V, 650V e 700V Cool MOS CE combinano l'R DS(on) e il contenitore ottimali che offrono caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo
Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)
Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)
R g ottimizzata integrata
Basse perdite di conduzione
Basse perdite di commutazione
Adatto per la commutazione dura e morbida
Comportamento di commutazione facilmente controllabile
Maggiore efficienza e conseguente riduzione del consumo energetico
Meno design nel lavoro
Facile da usare