MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPS60R1K0CEAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7439
Codice costruttore:
IPS60R1K0CEAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

61W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Il Infineon Cool MOS CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e, come moderna super giunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. 600V, 650V e 700V Cool MOS CE combinano l'R DS(on) e il contenitore ottimali che offrono caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Adatto per la commutazione dura e morbida

Comportamento di commutazione facilmente controllabile

Maggiore efficienza e conseguente riduzione del consumo energetico

Meno design nel lavoro

Facile da usare

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