MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPS60R1K0CEAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7439
Codice costruttore:
IPS60R1K0CEAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

6.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

61W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Infineon Cool MOS CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e, come moderna super giunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. 600V, 650V e 700V Cool MOS CE combinano l'R DS(on) e il contenitore ottimali che offrono caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Adatto per la commutazione dura e morbida

Comportamento di commutazione facilmente controllabile

Maggiore efficienza e conseguente riduzione del consumo energetico

Meno design nel lavoro

Facile da usare

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