MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPS60R1K0CEAKMA1

Codice RS:: 220-7439
Codice costruttore:: IPS60R1K0CEAKMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPS60R1K0CEAKMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

10,50 €

(IVA esclusa)

12,80 €

(IVA inclusa)

Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità	Per unità	Per confezione*
20 - 80	0,525 €	10,50 €
100 - 180	0,404 €	8,08 €
200 - 480	0,378 €	7,56 €
500 - 980	0,352 €	7,04 €
1000 +	0,325 €	6,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 220-7439
Codice costruttore:: IPS60R1K0CEAKMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET e diodo
	Massima corrente di scarico continua Id	6.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-251
	Serie	CoolMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	61W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET e diodo
	Massima corrente di scarico continua Id 6.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-251
	Serie CoolMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 61W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPS60R1K0CEAKMA1

Il Infineon Cool MOS CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e, come moderna super giunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. 600V, 650V e 700V Cool MOS CE combinano l'R DS(on) e il contenitore ottimali che offrono caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Adatto per la commutazione dura e morbida

Comportamento di commutazione facilmente controllabile

Maggiore efficienza e conseguente riduzione del consumo energetico

Meno design nel lavoro

Facile da usare

MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPS60R1K0CEAKMA1

Link consigliati