MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 950 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante
- Codice RS:
- 220-7451
- Codice costruttore:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,74 € | 55,50 € |
| 150 - 300 | 0,577 € | 43,28 € |
| 375 - 675 | 0,555 € | 41,63 € |
| 750 - 1425 | 0,526 € | 39,45 € |
| 1500 + | 0,466 € | 34,95 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7451
- Codice costruttore:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 37W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 2.41 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 37W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 2.41 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modello Infineon IPU95R2K0P7, progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V Cool MOS P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. Offre una tensione di bloccaggio maggiore di 50V rispetto al suo predecessore 900V Cool MOS C3, la serie 950V Cool MOS P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V Cool MOS P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. Cool MOS P7 è sviluppato con la migliore VGS (The) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, che lo rende facile da azionare e progettare.
RDS(ON) FOM migliore della categoria; Qg, Ciss e Coss ridotti
RDS(ON) DPAK migliore della categoria di 450 mΩ
VGS (The) migliore della categoria di 3V e variazione VGS (The) più piccola di ±0,5 V.
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
Qualità e affidabilità migliori della categoria
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