MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 950 mΩ Miglioramento, 8.7 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPSA70R950CEAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9112
Codice costruttore:
IPSA70R950CEAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.3nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

2.38 mm

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. CoolMOS CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le applicazioni sensibili ai costi nei mercati dei prodotti di consumo e dell'illuminazione pur rispettando i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.

Facile da usare/guidare

Robustezza di commutazione molto elevata

Adatto per applicazioni di livello standard

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