MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 370 mΩ Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPU95R3K7P7AKMA1
- Codice RS:
- 219-6015
- Codice costruttore:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
9,315 €
(IVA esclusa)
11,37 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1335 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,621 € | 9,32 € |
| 75 - 135 | 0,59 € | 8,85 € |
| 150 - 360 | 0,565 € | 8,48 € |
| 375 - 735 | 0,541 € | 8,12 € |
| 750 + | 0,503 € | 7,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-6015
- Codice costruttore:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 370mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 22W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 370mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 22W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Altezza 2.41mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La Infineon progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V CoolMOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di blocco maggiore di 50V rispetto al modello precedente 900V CoolMOS™ C3, la serie 950V CoolMOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. CoolMOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS(th) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, il che lo rende facile da azionare e progettare.
VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
Qualità e affidabilità migliori della categoria