MOSFET Infineon, canale N 30 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 160 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 166-0945
- Codice costruttore:
- IRLR8743PBF
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,612 € | 45,90 € |
| 150 - 300 | 0,49 € | 36,75 € |
| 375 - 675 | 0,463 € | 34,73 € |
| 750 - 1425 | 0,457 € | 34,28 € |
| 1500 + | 0,452 € | 33,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-0945
- Codice costruttore:
- IRLR8743PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 135W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 135W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 160 A, dissipazione di potenza massima di 135 W - IRLR8743TRPBF
Questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Utilizzando la tecnologia HEXFET, raggiunge una notevole efficienza e affidabilità nella gestione dell'alimentazione. La sua capacità di gestire elevate correnti di scarico continue lo rende adatto a diversi contesti industriali.
Caratteristiche e vantaggi
• Gestisce una corrente di drenaggio continua massima di 160A per prestazioni solide
• Offre una tensione massima di drain-source di 30V per un funzionamento affidabile
• Il basso valore di Rds(on), pari a 3,9mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza
• Progettato come transistor in modalità enhancement per migliorare l'efficienza di commutazione
• Le funzionalità di montaggio in superficie consentono una facile integrazione nei progetti di circuito
• Classificato per temperature di esercizio elevate fino a +175°C per una migliore gestione termica
Applicazioni
• Convertitori buck sincroni ad alta frequenza negli alimentatori per computer
• Convertitori DC-DC isolati nei sistemi di telecomunicazione
• Sistemi industriali di gestione e automazione dell'energia
• Dispositivi che richiedono basse tensioni di soglia di gate per una commutazione efficiente
• Diversi dispositivi elettronici che richiedono una soluzione di alimentazione compatta
Qual è l'impatto delle alte temperature sulle sue prestazioni?
Il funzionamento a temperature elevate ne migliora le prestazioni termiche, consentendogli di gestire efficacemente livelli di potenza elevati e di garantire la stabilità in condizioni difficili.
In che modo questa tecnologia migliora l'efficienza dei dispositivi elettronici?
La tecnologia HEXFET riduce significativamente le perdite di potenza grazie alla sua bassa Rds(on), consentendo ai dispositivi di funzionare in modo efficiente con carichi elevati e generando meno calore.
Può essere utilizzato insieme ad altri semiconduttori?
Sì, può essere integrato con altri componenti a semiconduttore in circuiti a segnale misto, migliorando la funzionalità e le prestazioni complessive del circuito.
Qual è il significato del suo design a montaggio superficiale?
Il design a montaggio superficiale favorisce l'assemblaggio compatto su PCB, migliora la gestione termica e ottimizza lo spazio nelle applicazioni elettroniche.
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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