MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 160 kΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
222-4750
Codice costruttore:
IRFR2405TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160kΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Valori nominali dinamici dv/dt

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

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