MOSFET Infineon, canale N 55 V, 160 kΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
222-4750
Codice costruttore:
IRFR2405TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160kΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Valori nominali dinamici dv/dt

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

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