MOSFET Infineon, canale N 55 V, 160 kΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR2405TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4751
Codice costruttore:
IRFR2405TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160kΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Valori nominali dinamici dv/dt

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

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