MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 160 kΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR2405TRPBF
- Codice RS:
- 222-4751
- Codice costruttore:
- IRFR2405TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,067 € | 16,01 € |
| 75 - 135 | 1,014 € | 15,21 € |
| 150 - 360 | 0,971 € | 14,57 € |
| 375 - 735 | 0,929 € | 13,94 € |
| 750 + | 0,865 € | 12,98 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4751
- Codice costruttore:
- IRFR2405TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160kΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160kΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Avanzata tecnologia di processo
Valori nominali dinamici dv/dt
Commutazione rapida
Completamente Avalanche
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