MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.4 Ω Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R1K4CEATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4396
Codice costruttore:
IPD80R1K4CEATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Altezza

2.35mm

Larghezza

6.42 mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET CE Cool MOS 800V Infineon presenta una capacità di alta tensione che combina sicurezza con prestazioni e robustezza per consentire progetti stabili al massimo livello di efficienza.

È conforme alla direttiva RoHS

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