MOSFET Infineon, canale N 800 V, 1.4 Ω P, 3.9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA80R1K4CEXKSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4355
Codice costruttore:
IPA80R1K4CEXKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.68mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

16.15mm

Altezza

4.85mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET CE Infineon CoolMOSE utilizza una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione. La capacità ad alta tensione combina sicurezza con prestazioni e robustezza per consentire progetti stabili al massimo livello di efficienza.

È conforme alla direttiva RoHS

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