MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
168-5917
Codice costruttore:
IPD80R1K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™P7


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