MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R1K4P7SAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9047
Codice costruttore:
IPD70R1K4P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

22.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente CoolMOS P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida. in combinazione con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia art. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili.

Ha un eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

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