MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R1K4P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0906
Codice costruttore:
IPD80R1K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

32W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

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