MOSFET Infineon, canale N, 1,4 Ω, 4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 130-0906
- Codice costruttore:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 5
0,734 €
(IVA esclusa)
0,895 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,734 € | 3,67 € |
| 50 - 120 | 0,696 € | 3,48 € |
| 125 - 245 | 0,668 € | 3,34 € |
| 250 - 495 | 0,624 € | 3,12 € |
| 500 + | 0,586 € | 2,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 130-0906
- Codice costruttore:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™P7
La famiglia di MOSFET di potenza CoolMOS P7 da 800 V introduce una maggiore efficienza e prestazioni termiche. Le applicazioni adatte sono adattatori di rete, illuminazione a LED, audio, alimentazione industriale e ausiliaria.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 4 A |
| Tensione massima drain source | 800 V |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo di package | DPAK (TO-252) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1,4 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 2.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 32 W |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Lunghezza | 6.73mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 10 nC a 10 V |
| Larghezza | 6.22mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 2.41mm |
| Tensione diretta del diodo | 0.9V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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