MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 950 mΩ Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
165-8015
Codice costruttore:
IPD80R1K0CEATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corrente di drenaggio continua massima di 5,7 A, dissipazione di potenza massima di 83 W - IPD80R1K0CEATMA1


Questo MOSFET offre soluzioni per la gestione dell'alimentazione e l'elettronica generale, sfruttando l'avanzata tecnologia CoolMOS CE con capacità di alta tensione fino a 800V. Vanta un'elevata efficienza e una bassa resistenza di stato, ottimizzando il design e migliorando l'affidabilità.

Caratteristiche e vantaggi


• La maggiore densità di potenza consente di progettare sistemi più compatti

• La riduzione dei requisiti di raffreddamento consente di risparmiare sui costi dei sistemi

• Le temperature di esercizio più basse aumentano l'affidabilità del sistema

• L'elevata capacità di corrente di picco supporta applicazioni rigorose

• L'affidabilità del valore dv/dt garantisce la stabilità in caso di rapide variazioni di tensione

• Conforme agli standard RoHS per un utilizzo ecocompatibile

Applicazioni


• Utilizzato nelle soluzioni di illuminazione a LED per installazioni retrofit

• Adatto per la topologia QR flyback negli alimentatori

• Efficace nei sistemi di distribuzione di energia per autoveicoli

• Ideale per diverse applicazioni industriali ad alta tensione

In che modo il MOSFET migliora le prestazioni del sistema nella gestione dell'alimentazione?


Migliora la densità di potenza e riduce i requisiti termici, portando a una maggiore efficienza e a minori perdite di energia durante il funzionamento.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo dispositivo nelle applicazioni di illuminazione a LED?


Offre prestazioni affidabili con una minore generazione di calore, contribuendo alla longevità e alla stabilità dei sistemi di illuminazione.

È compatibile con le applicazioni ad alta frequenza?


La sua bassa carica di gate e le sue elevate capacità di corrente di picco lo rendono adatto alle operazioni ad alta frequenza, garantendo perdite di commutazione minime.

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per questo dispositivo?


La corrente di drenaggio continua massima è di 5,7A, il che lo rende adatto a varie applicazioni ad alta intensità di potenza.

Entro quale intervallo di temperatura può operare?


Funziona efficacemente tra -55°C e +150°C, offrendo versatilità in diversi ambienti.

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