MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 950 mΩ Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 165-8015
Codice costruttore:: IPD80R1K0CEATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 950 mΩ Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1262,50 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8015
Codice costruttore:: IPD80R1K0CEATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	950mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	31nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.41mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 950mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.41mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corrente di drenaggio continua massima di 5,7 A, dissipazione di potenza massima di 83 W - IPD80R1K0CEATMA1

Questo MOSFET offre soluzioni per la gestione dell'alimentazione e l'elettronica generale, sfruttando l'avanzata tecnologia CoolMOS CE con capacità di alta tensione fino a 800V. Vanta un'elevata efficienza e una bassa resistenza di stato, ottimizzando il design e migliorando l'affidabilità.

Caratteristiche e vantaggi

• La maggiore densità di potenza consente di progettare sistemi più compatti

• La riduzione dei requisiti di raffreddamento consente di risparmiare sui costi dei sistemi

• Le temperature di esercizio più basse aumentano l'affidabilità del sistema

• L'elevata capacità di corrente di picco supporta applicazioni rigorose

• L'affidabilità del valore dv/dt garantisce la stabilità in caso di rapide variazioni di tensione

• Conforme agli standard RoHS per un utilizzo ecocompatibile

Applicazioni

• Utilizzato nelle soluzioni di illuminazione a LED per installazioni retrofit

• Adatto per la topologia QR flyback negli alimentatori

• Efficace nei sistemi di distribuzione di energia per autoveicoli

• Ideale per diverse applicazioni industriali ad alta tensione

In che modo il MOSFET migliora le prestazioni del sistema nella gestione dell'alimentazione?

Migliora la densità di potenza e riduce i requisiti termici, portando a una maggiore efficienza e a minori perdite di energia durante il funzionamento.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo dispositivo nelle applicazioni di illuminazione a LED?

Offre prestazioni affidabili con una minore generazione di calore, contribuendo alla longevità e alla stabilità dei sistemi di illuminazione.

È compatibile con le applicazioni ad alta frequenza?

La sua bassa carica di gate e le sue elevate capacità di corrente di picco lo rendono adatto alle operazioni ad alta frequenza, garantendo perdite di commutazione minime.

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per questo dispositivo?

La corrente di drenaggio continua massima è di 5,7A, il che lo rende adatto a varie applicazioni ad alta intensità di potenza.

Entro quale intervallo di temperatura può operare?

Funziona efficacemente tra -55°C e +150°C, offrendo versatilità in diversi ambienti.