MOSFET Infineon, canale N 950 V, 2 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 219-5994
- Codice costruttore:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
912,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,365 € | 912,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-5994
- Codice costruttore:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 37W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 37W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.41mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione sorgente di drenaggio 950 V, corrente di drenaggio continua 4 A - IPD95R2K0P7ATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente
• La carica gate di 10 nC riduce l'energia di azionamento e le perdite legate alla commutazione
• La corrente di drenaggio continua di 4 A supporta in modo affidabile correnti di carico moderate
• La dissipazione di potenza massima di 37 W consente un notevole spazio termico
• La capacità gate-source da 20 V accoglie le comuni tensioni di azionamento gate
Applicazioni
• Ideale per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione
• Utilizzato con i front-end per azionamento di motori industriali
• Può essere utilizzato per la conversione di energia in sistemi rinnovabili
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?
Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato?
Quali sono le caratteristiche tipiche di conduzione in avanti durante la conduzione?
Quanti collegamenti elettrici presenta per l'integrazione dei circuiti?
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