MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 2 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
219-5994
Codice costruttore:
IPD95R2K0P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

La Infineon progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V CoolMOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di blocco maggiore di 50V rispetto al modello precedente 900V CoolMOS™ C3, la serie 950V CoolMOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. CoolMOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS(th) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, il che lo rende facile da azionare e progettare.

VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.

Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)

Qualità e affidabilità migliori della categoria

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