MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 950 mΩ N, 4.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R950CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3847
Codice costruttore:
IPD50R950CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

0.83V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon 500V CoolMOS CE è una piattaforma ottimizzata per il rapporto qualità-prezzo che consente di indirizzare applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo e dell'illuminazione pur rispettando i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto di prestazioni a basso costo disponibile sul mercato.

Elevata robustezza del diodo del corpo

Carica di recupero inverso ridotta

Facile controllo del comportamento di commutazione

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