MOSFET Infineon, canale N 500 V, 500 mΩ N, 7.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R500CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3049
Codice costruttore:
IPD50R500CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

850mV

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon 500V CoolMOS™ CE. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Questa serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo/prestazioni disponibile sul mercato.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare/guidare

Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni

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