MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 800 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
222-4899
Codice costruttore:
IPD50R800CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

IPD50R

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.83V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

Infineon 500V CoolMOS™ CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le esigenze di applicazioni sensibili ai costi nei mercati dell'illuminazione e dei beni di consumo pur soddisfacendo i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Diodo ad alta resistenza

Carica di recupero inverso ridotta (Q rr )

Carica di gate ridotta (Q g )

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