MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 800 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R800CEAUMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

15,00 €

(IVA esclusa)

18,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 7400 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,60 €15,00 €
125 - 2250,462 €11,55 €
250 - 6000,432 €10,80 €
625 - 12250,402 €10,05 €
1250 +0,372 €9,30 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4900
Codice costruttore:
IPD50R800CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD50R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Tensione diretta Vf

0.83V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 500V CoolMOS™ CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le esigenze di applicazioni sensibili ai costi nei mercati dell'illuminazione e dei beni di consumo pur soddisfacendo i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Diodo ad alta resistenza

Carica di recupero inverso ridotta (Q rr )

Carica di gate ridotta (Q g )

Link consigliati