MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 750 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R750P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9053
Codice costruttore:
IPD80R750P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

51W

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

La più recente serie Infineon CoolMOS P7 800V rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di giunzione super 800V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di giunzione super di Infineon da oltre 18 anni. Questi sono facili da guidare e da collegare in parallelo, consentendo una maggiore densità di potenza, risparmi BOM e costi di assemblaggio ridotti. Questi sono consigliati per topologie fly-back a commutazione hard e soft per illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori a bassa potenza, audio, alimentazione AUX e alimentazione industriale.

Viene fornito con un portafoglio completamente ottimizzato

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