MOSFET Infineon, canale N 800 V, 600 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 219-5992
- Codice costruttore:
- IPD80R600P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1610,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,644 € | 1.610,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-5992
- Codice costruttore:
- IPD80R600P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.41mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.
Facile da guidare e da progettare
Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD
Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo
Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti
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