MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 450 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2445,00 €

(IVA esclusa)

2982,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,978 €2.445,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2535
Codice costruttore:
IPD95R450P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La più recente serie Infineon CoolMOS™ P7 950V segna un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di super giunzione 950V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di super giunzione di Infineon da oltre 18 anni.

RDS(ON) FOM migliore della categoria; Qg, Ciss e CossBest-in-class DPAK ridotti RDS(ON) di 450 mΩ

VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.

Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)

Qualità e affidabilità migliori della categoria

Link consigliati

Recently viewed