MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 450 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
217-2535
Codice costruttore:
IPD95R450P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La più recente serie Infineon CoolMOS™ P7 950V segna un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di super giunzione 950V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di super giunzione di Infineon da oltre 18 anni.

RDS(ON) FOM migliore della categoria; Qg, Ciss e CossBest-in-class DPAK ridotti RDS(ON) di 450 mΩ

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Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)

Qualità e affidabilità migliori della categoria

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