MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 2 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD95R2K0P7ATMA1

La Infineon progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V CoolMOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di blocco maggiore di 50V rispetto al modello precedente 900V CoolMOS™ C3, la serie 950V CoolMOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. CoolMOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS(th) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, il che lo rende facile da azionare e progettare.

VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.