MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 450 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD95R450P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2536
Codice costruttore:
IPD95R450P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La più recente serie Infineon CoolMOS™ P7 950V segna un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di super giunzione 950V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di super giunzione di Infineon da oltre 18 anni.

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