MOSFET Vishay, canale N 850 V, 950 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD6N80AE-GE3

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Codice RS:
200-6867
Codice costruttore:
SIHD6N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHD6N80AE-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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