MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 450 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2849
Codice costruttore:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in progetti di potenza industriali. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è adatto per circuiti che richiedono un'elevata capacità di tensione di drenaggio alla sorgente e una gestione della corrente continua moderata in ambienti a temperatura elevata.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima da drain a sorgente di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta requisiti di azionamento del carico moderati • L'Rds(on) di 450 mΩ riduce le perdite di conduzione nei circuiti ad alta tensione • La dissipazione di potenza massima di 78 W consente una maggiore capacità termica • La tolleranza del gate di 30 V consente robusti margini di azionamento del gate • La carica tipica del gate 28 nC favorisce prestazioni di commutazione prevedibili

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali • Utilizzato per regolatori elettronici di ballast e illuminazione • Può essere utilizzato per la gestione dell'energia e i moduli di condizionamento dell'alimentazione • Adatto per gli stadi degli inverter di media potenza nei sistemi di automazione

Quale formato di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin per la saldatura su circuito stampato.

A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?


È specificato per il funzionamento da -55 °C fino a un massimo di 150 °C.

In che modo la sua caratteristica di gate influisce sulla progettazione della commutazione?


La carica di gate tipica di 28 nC all'azionamento del gate nominale fornisce stime della corrente di azionamento e della perdita di commutazione per la selezione del driver del gate.

Qual è la potenza continua massima che il dispositivo può dissipare?


Il dispositivo può dissipare fino a 78 W in condizioni di gestione termica appropriate.

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