MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 450 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2849
Codice costruttore:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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