MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 450 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2849
Codice costruttore:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona su un intervallo ambientale esteso ed è adatto per i circuiti che richiedono un'elevata capacità di tensione di drenaggio-sorgente e una gestione della corrente continua modesta. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 ed è conforme alla direttiva RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 850 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) di 450 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 78 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica totale del gate di 28 nC consente transizioni del gate più veloci
• La caduta del diodo in avanti da 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione inversa

Applicazioni


• Utilizzato per convertitori e inverter a commutazione ad alta tensione
• Adatto per alimentatori industriali e guide ausiliarie
• Ideale per topologie a mezzo ponte e in modalità switching
• Può essere utilizzato per le fasi di gate dell'azionamento del motore con corrente modesta
• Utilizzato con schede di gestione dell'alimentazione discrete nelle apparecchiature di consumo

Per quale intervallo di tensione di gate‐drive devo progettare?


Il dispositivo tollera fino a 30 V tra gate e sorgente

progettare i driver gate entro questo limite e selezionare le tensioni di azionamento appropriate per la velocità di commutazione e i margini di sicurezza.

In che modo la temperatura influisce sul funzionamento del dispositivo?


Classificato per il funzionamento da -55 °C a 150 °C, le prestazioni termiche determinano i cicli di lavoro consentiti e possono richiedere un dissipatore di calore o vie termiche per circuito stampato per mantenere le temperature di giunzione con un'elevata dissipazione.

Quali sono le considerazioni di montaggio e layout importanti?


Come contenitore a montaggio superficiale TO-252, garantisce un'adeguata area di rame per la diffusione del calore e percorsi brevi e a bassa induttanza per il drenaggio e la sorgente per migliorare le prestazioni termiche e di commutazione.

In che modo il tipo di canale influisce sulla progettazione dei circuiti?


La modalità di potenziamento a canale N richiede una tensione gate-source positiva per condurre, pertanto la polarità e il livello del gate-drive devono essere forniti di conseguenza nel circuito di controllo.

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