MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 391 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-GE3

Codice RS:: 210-4979
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 391 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-GE3

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Codice RS:: 210-4979
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	E
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	391mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	78W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	28nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	2.2mm
	Larghezza	6.4mm
	Lunghezza	9.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package TO-252
	Serie E
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 391mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 78W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 2.2mm
	Larghezza 6.4mm
	Lunghezza 9.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 8 A - SIHD11N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor a modalità di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza nei sistemi elettronici industriali. È fornito in un contenitore TO-252 a montaggio superficiale ed è progettato per funzionare in un'ampia gamma di temperature, adatto per ambienti difficili. I limiti elettrici chiave e la gestione termica consentono l'uso in circuiti che richiedono una tolleranza di tensione elevata e una capacità di corrente continua moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta la gestione del carico a stato stabile • L'Rds(on) di 391 mΩ riduce le perdite di conduzione per un aumento dell'efficienza • La carica gate tipica di 28 nC riduce al minimo il consumo energetico di commutazione • La capacità di dissipazione di potenza di 78 W contribuisce al margine termico negli assemblaggi

Applicazioni

• Adatto per la commutazione sul lato primario in SMPS per apparecchiature industriali • Ideale per le fasi di conversione CC-CC ad alta tensione negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione front-end dell'inverter negli azionamenti per motori industriali • Può essere utilizzato per circuiti snubber o a morsetto in sistemi ad alta tensione

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?

Il dispositivo può tollerare tensioni di gate fino a 30 V, pertanto i driver di gate devono fornire livelli Vgs appropriati limitando al contempo i transitori per evitare sovratensioni.

In che modo la temperatura influisce sul funzionamento consentito?

Il componente è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C

i progettisti devono tenere conto della riduzione della resistenza termica e di corrente in condizioni di temperatura elevata.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per la progettazione del circuito stampato?

È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin, che consente il fissaggio saldato al rame della scheda e l'uso di modelli di messa a terra termica PCB per la dissipazione del calore.

Quali compromessi sulle prestazioni di commutazione si devono prevedere?

La sua carica di gate moderata di 28 nC bilancia la velocità di commutazione e l'energia di azionamento, mentre l'Rds(on) relativamente elevato implica perdite di conduzione più elevate rispetto ai dispositivi a bassa resistenza, che devono essere considerate per i budget di efficienza.