MOSFET Vishay, canale N, 0.391 Ω, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 210-4979
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0.391 Ω, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,648 €

(IVA esclusa)

2,011 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	1,648 €	8,24 €
50 - 120	1,612 €	8,06 €
125 - 245	1,27 €	6,35 €
250 - 495	1,024 €	5,12 €
500 +	0,954 €	4,77 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 210-4979
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Datasheet - SIHD11N80AE-GE3

Normative

Dettagli prodotto

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore DPAK (TO-252) con configurazione singola.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Ciss)
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Carica del gate ultrabassa (Qg)
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Protezione ESD con diodo Zener integrato

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	E
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0.391 Ω
Tensione di soglia gate massima	2 → 4V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0.391 Ω, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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