MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 391 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2283,00 €

(IVA esclusa)

2784,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 14 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,761 €2.283,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-4978
Codice costruttore:
SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

391mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.2mm

Lunghezza

9.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore DPAK (TO-252) con configurazione singola.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

Link consigliati