MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 391 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD11N80AE-GE3

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Codice RS:
210-4978
Codice costruttore:
SIHD11N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

391mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.4mm

Altezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain source 800 V, dissipazione di potenza 78 W - SIHD11N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di commutazione e conversione di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura molto ampio ed è progettato per ambienti impegnativi in cui è richiesta un'elevata gestione della tensione di drenaggio e della sorgente e una capacità di corrente moderata, pur essendo conforme alle restrizioni RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 800 V consente topologie ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta circuiti di potenza moderati
• L'Rds(on) di 391 mΩ riduce le perdite di conduzione alla corrente nominale
• La dissipazione di potenza massima di 78 W consente una notevole gestione del calore
• La carica gate tipica di 28 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La soglia del gate da 30 V accoglie le tensioni standard del gate-drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per gli stadi del convertitore a mezzo ponte e boost
• Utilizzato con i front-end per azionamento di motori industriali
• Può essere utilizzato per caricabatterie offline e controllo dell'illuminazione
• Adatto per telecomunicazioni e moduli di distribuzione dell'alimentazione

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore TO-252 progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale per facilitare l'accoppiamento termico al rame del circuito stampato.

Quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni di temperatura estreme.

In che modo la tensione diretta influisce sui calcoli della perdita di potenza?


una tensione diretta di 1,2 V deve essere inclusa quando si stima la conduzione e le perdite di commutazione negli intervalli di conduzione del diodo e nelle disposizioni sincrone.

Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere rispettate?


La tensione massima gate-sorgente è di 30 V, pertanto i driver gate e la protezione devono evitare escursioni oltre questo valore.

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