MOSFET Vishay, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 188-4874
Codice costruttore:: SIHD2N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

0,391 €

(IVA esclusa)

0,477 €

(IVA inclusa)

1 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	0,391 €	782,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 188-4874
Codice costruttore:: SIHD2N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet SIHD2N80AE-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,9 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,9 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	62,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±30 V
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	2.25mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Link consigliati