MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 2.9 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SIHD2N80AE-GE3

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Codice RS:
188-4874
Codice costruttore:
SIHD2N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.25mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 800 V, dissipazione di potenza massima 62,5 W - SIHD2N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in contesti industriali e di conversione di potenza. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento ed è progettato per progetti di circuiti a montaggio superficiale in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un comportamento di commutazione controllato. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 ed è conforme agli standard ambientali RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità drain-source di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 2,9 Ω supporta perdite di conduzione moderate
• La dissipazione di potenza di 62,5 W consente un carico termico elevato
• La carica gate tipica di 7 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• Il valore nominale del gate di 30 V fornisce un ampio margine di azionamento del gate
• La corrente di drenaggio continua di 2,9 A è adatta per carichi a stato stazionario

Applicazioni


• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per alimentatori di commutazione industriali e guide ausiliarie
• Utilizzato con driver gate che richiedono budget di ricarica modesti
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta tensione non automobilistica

Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare durante il funzionamento?


È classificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature da -55 °C a 150 °C, adattandosi agli ambienti industriali più impegnativi.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio del circuito stampato e sul percorso termico?


Il contenitore a montaggio superficiale TO-252 consente un posizionamento compatto della scheda e fornisce un percorso di conduzione termica diretto al rame del circuito stampato per la dissipazione del calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate per le prestazioni di commutazione?


Le tensioni di azionamento devono rimanere entro i limiti di ±30 V e devono essere dimensionate per caricare il gate con circa 7 nC per ottenere il comportamento di commutazione caratterizzato senza corrente di azionamento eccessiva.

È adatto all'uso nei sistemi automobilistici?


Non è specificato come di tipo automobilistico, pertanto non deve essere selezionato nei casi in cui sono richieste omologazioni specifiche per il settore automobilistico.

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