MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 2.9 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
188-4874
Codice costruttore:
SIHD2N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.25mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 2,9 A - SIHD2N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi industriali ed elettronici in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e resistenza termica. Funziona come un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento progettato per l'installazione a montaggio superficiale ed è adatto per le attività di conversione di potenza e controllo nelle apparecchiature elettriche e di automazione.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 800 V consente la commutazione ad alta tensione in progetti compatti • La corrente di drenaggio continua di 2,9 A supporta correnti di carico moderate • Carica gate tipica 7 nC per una gestione efficiente dell'energia del gate drive • Rds(on) di 2,9 Ω limita le perdite di conduzione in caso di carichi da leggeri a moderati • La dissipazione di potenza di 62,5 W consente un carico termico sostenuto • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per applicazioni a temperatura elevata

Applicazioni


• Adatto per la commutazione su guida ad alta tensione nei convertitori industriali • Ideale per l'uso in stadi di potenza in azionamenti per motori con correnti moderate • Utilizzato per la commutazione lato linea in alimentatori e inverter • Può essere utilizzato per la soppressione dei transienti e i circuiti snubber nei sistemi CA

Quale intervallo di tensione del gate devo osservare per i circuiti di controllo?


Il dispositivo tollera tensioni gate-sorgente fino a 30 V, pertanto i driver gate devono essere specificati per rimanere entro questo massimo per evitare la degradazione del gate.

In che modo il montaggio influisce sulle prestazioni termiche?


Come contenitore TO-252 a montaggio superficiale, il trasferimento termico si basa su una buona area di rame del circuito stampato e su vie termiche per dissipare la potenza nominale del dispositivo

il rame insufficiente aumenterà la temperatura di giunzione.

Quale numero di pin e configurazione del pacchetto sono forniti?


Il componente è fornito in una configurazione TO-252 a tre pin adatta per i processi di assemblaggio standard a montaggio superficiale.

Come è necessario tenere conto del comportamento di conduzione in avanti nella progettazione?


La tensione diretta riportata è di 1,2 V

includere questo nei calcoli di perdita quando il diodo corpo conduce durante eventi di recupero inverso o rettifica sincrona.

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