MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 2.5 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU2N80AE-GE3

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Codice RS:
210-4997
Codice costruttore:
SIHU2N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

IPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.18mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore tipo IPAK (TO-251).

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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