MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 2.5 Ω Miglioramento, 2.9 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU2N80AE-GE3
- Codice RS:
- 210-4997
- Codice costruttore:
- SIHU2N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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| 100 - 240 | 0,842 € | 8,42 € |
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- Codice RS:
- 210-4997
- Codice costruttore:
- SIHU2N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.18mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.18mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore tipo IPAK (TO-251).
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Ciss)
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Carica del gate ultrabassa (Qg)
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Protezione ESD con diodo Zener integrato