MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU5N80AE-GE3
- Codice RS:
- 204-7229
- Codice costruttore:
- SIHU5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 204-7229
- Codice costruttore:
- SIHU5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | SiHU5N80AE | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.35Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie SiHU5N80AE | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
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