MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU5N80AE-GE3
- Codice RS:
- 204-7229
- Codice costruttore:
- SIHU5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 204-7229
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- SIHU5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.35Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SIHU5N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. È fornito in un contenitore IPAK a foro passante progettato per un robusto montaggio su scheda e un'installazione semplice in gruppi di controllo e alimentazione. Il dispositivo è adatto nei casi in cui è richiesta un'elevata capacità di tensione da drain a sorgente e una gestione della corrente moderata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale Vds 800 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 4,4 A per un'erogazione di carico moderata • Rds(on) di 1,35 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 62,5 W supporta un carico termico sostenuto • Carica gate tipica 16,5 nC per un controllo di commutazione prevedibile • Temperatura d'esercizio massima di 150 °C per ambienti ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per i front-end dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per la commutazione sul lato di rete nei comandi di illuminazione • Può essere utilizzato per circuiti snubber o a morsetto nei moduli di potenza • Adatto per la prototipazione e la riparazione in assemblaggi a foro passante
Quale gamma di tensione di gate devo applicare per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo accetta fino a 30 V tra gate e sorgente
i progetti in genere utilizzano livelli di azionamento del gate compatibili con questo massimo per evitare sovratensioni del gate.
In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del driver?
Una carica di gate da 16,5 nC all'azionamento del gate nominale determina la corrente di pilotaggio richiesta e le perdite di commutazione
scegliere un driver in grado di fornire una corrente di picco sufficiente per la velocità di commutazione desiderata.
Quali temperature ambientali può sopportare durante il funzionamento?
È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, pertanto la gestione termica e le considerazioni di giunzione con l'ambiente rimangono importanti a temperature elevate.
Quale stile di montaggio richiede sul circuito stampato?
Si tratta di un componente a foro passante in un corpo IPAK, pertanto i progetti devono includere fori e tamponi di saldatura appropriati per la stabilità meccanica e il trasferimento di calore.
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