MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω, 4.4 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Superficie

Codice RS:: 225-9918
Codice costruttore:: SIHP5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω, 4.4 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Superficie

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

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Codice RS:: 225-9918
Codice costruttore:: SIHP5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.35Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	16.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	15.85mm
	Lunghezza	10.52mm
	Larghezza	4.65mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 15.85mm
	Lunghezza 10.52mm
	Larghezza 4.65mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SIHP5N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di conversione e controllo di potenza. Funziona come un dispositivo a canale N in grado di gestire tensioni drain-source elevate, destinato ad applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche robuste.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,4 A consente una gestione del carico moderata
• L'Rds(on) di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione alla corrente di esercizio
• La dissipazione di potenza di 62,5 W supporta il ciclo di potenza sostenuto
• La tolleranza del gate di 30 V consente ampi margini di azionamento del gate
• La carica tipica del gate da 16,5 nC favorisce un comportamento di commutazione prevedibile

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching che gestiscono guide c. c. elevate
• Ideale per le fasi di commutazione front-end per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per circuiti a morsetto o snubber ad alta tensione nei sistemi di alimentazione
• Può essere utilizzato per interruttori boost-converter isolati nell'automazione

In quale intervallo termico può funzionare il dispositivo?

Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ampie temperature ambientali.

Come viene gestito il montaggio per l'assemblaggio del circuito stampato?

Il contenitore è di tipo a montaggio superficiale TO-220AB con tre pin per opzioni di attacco su scheda passante o dissipatore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo tenere presente?

La tensione nominale gate-source è di 30 V, pertanto i driver gate devono limitare le escursioni entro tale soglia per evitare danni.

Quanto è grande l'impatto energetico tipico del gate drive?

Il dispositivo presenta una carica di gate tipica di 16,5 nC, che fornisce informazioni sulle dimensioni del driver e sui calcoli della perdita di commutazione.