MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 1.35 Ω, 4.4 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Superficie SIHP5N80AE-GE3

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

38,95 €

(IVA esclusa)

47,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1050 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +0,779 €38,95 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
225-9918
Codice costruttore:
SIHP5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.65mm

Lunghezza

10.52mm

Altezza

15.85mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain source 800 V, dissipazione di potenza massima 62,5 W - SIHP5N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per funzioni di commutazione e conversione di potenza in ambienti industriali. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è fornito in un contenitore TO-220AB per il montaggio convenzionale. Il dispositivo supporta elevati requisiti di tensione drain-source fornendo al contempo una capacità di corrente continua moderata ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale in apparecchiature che richiedono componenti conformi alla direttiva RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di drenaggio di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 4,4 A è adatta a carichi di potenza moderati
• Rds(on) di 1,35 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 62,5 W supporta una gestione della potenza elevata
• La carica gate tipica di 16,5 nC consente transizioni gate più veloci
• La tolleranza del gate di ±30 V consente tensioni di azionamento flessibili

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per l'alimentazione switching industriale
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono un margine di tensione robusto
• Può essere utilizzato per circuiti snubber e pinza in sistemi HV
• Adatto per impianti di prova di laboratorio che gestiscono alte tensioni

Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso sia in condizioni industriali ad avviamento a freddo che ad alte temperature.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza per l'implementazione del circuito stampato?


È fornito in un contenitore TO-220AB e progettato per l'installazione a montaggio superficiale, facilitando il dissipatore di calore a foro passante sui gruppi.

Quanti pin di collegamento sono forniti e qual è il tipo di polarità?


Il dispositivo è dotato di tre pin e utilizza un tipo a canale N, con funzioni tipiche per pin MOSFET per gate, drain e source.

Esistono limiti alla tensione di azionamento del gate per evitare danni?


La tensione della sorgente gate non deve superare i 30 V per evitare l'eccessiva sollecitazione del gate durante la guida.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.