MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 4.4 Ω Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFBC20PBF
- Codice RS:
- 178-0839
- Codice costruttore:
- IRFBC20PBF
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
59,70 €
(IVA esclusa)
72,85 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 950 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,194 € | 59,70 € |
| 100 - 200 | 1,015 € | 50,75 € |
| 250 + | 0,955 € | 47,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-0839
- Codice costruttore:
- IRFBC20PBF
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBC20 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBC20 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFBC20 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, dissipazione di potenza massima di 50 W - IRFBC20PBF
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 2.2 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa Rds(on) di 4,4 Ω riduce le perdite di conduzione nei casi in cui le correnti sono limitate
• La dissipazione di potenza massima di 50 W consente un carico termico sostenuto
• La carica di gate tipica di 18 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V consente tensioni di azionamento gate comuni
Applicazioni
• Ideale per i controller di potenza a commutazione nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato con stadi driver discreti nelle interfacce di controllo motore
• Può essere utilizzato per funzioni di smorzamento e serraggio nei sistemi di alimentazione
• Adatto per la prototipazione in laboratorio con montaggio a foro passante
A quali temperature ambientali può resistere durante il funzionamento?
Come deve essere montato per un'efficace dissipazione del calore?
Quali limiti dell'azionamento del gate devono essere rispettati?
È adatto per applicazioni di livello automobilistico?
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 4.4 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFBC20PBF
- MOSFET di potenza Vishay 750 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFB9N60APBF
- MOSFET ROHM 175 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie R6022YNX3C16
- MOSFET ROHM 135 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie R6027YNX3C16
- MOSFET ROHM 390 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante R6010YNX3C16
- MOSFET ROHM 82 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante R6049YNX3C16
- MOSFET ROHM 96 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante R6038YNX3C16
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω 3 Pin Superficie SIHP5N80AE-GE3
