MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1425,00 €

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1740,00 €

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Codice RS:
204-7228
Codice costruttore:
SIHU5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

IPAK

Serie

SiHU5N80AE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.39 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di un basso valore di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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