MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU5N80AE-GE3

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Codice RS:
204-7228
Codice costruttore:
SIHU5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 800 V, dissipazione di potenza massima 62,5 W - SIHU5N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per ruoli di controllo e conversione di potenza industriali impegnativi. Funziona come transistor in modalità di potenziamento a canale N ed è progettato per il montaggio su circuito stampato a foro passante in un contenitore IPAK. Il componente supporta ambienti a temperatura elevata e fornisce un campo di azionamento del gate chiaro per un comportamento di commutazione robusto nei sistemi di alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,4 A supporta la conduzione del carico sostenuta
• La bassa Rds(on) di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica tipica del gate da 16.5 nC consente una progettazione efficiente del gate drive
• La dissipazione di potenza massima di 62.5 W consente una gestione del calore significativa
• La tensione massima gate-source di 30 V garantisce il margine di isolamento del gate

Applicazioni


• Adatto per attività di commutazione primaria SMPS ad alta tensione
• Ideale per i front-end dell'inverter per azionamento di motori industriali
• Utilizzato con convertitori boost nei circuiti del fattore di potenza
• Può essere utilizzato per progetti di sostituzione di relè ad alta tensione
• Impiegato nella gestione dell'energia e nella protezione dell'alimentazione

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?


È classificato per funzionare in un intervallo da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


Il dispositivo viene fornito in una forma IPAK ed è progettato per il montaggio a foro passante per facilitare la conduzione termica ai dissipatori.

Quale caratteristica di tensione diretta influisce sulla conduzione a correnti moderate?


Il componente presenta una tensione diretta di 1,2 V, rilevante per valutare la conduzione del diodo corpo e le perdite di recupero inverso.

Il prodotto è adatto per applicazioni con requisiti RoHS?


È conforme agli standard RoHS, consentendo l'implementazione nei casi in cui è necessaria la conformità alle sostanze soggette a restrizioni.

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