MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

Codice RS:: 204-7228
Codice costruttore:: SIHU5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1401,00 €

(IVA esclusa)

1710,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 24 dicembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,467 €	1.401,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 204-7228
Codice costruttore:: SIHU5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	IPAK
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.35Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	16.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	6.22mm
	Larghezza	2.39mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package IPAK
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 6.22mm
	Larghezza 2.39mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHU5N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SIHU5N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. È fornito in un contenitore IPAK a foro passante progettato per un robusto montaggio su scheda e un'installazione semplice in gruppi di controllo e alimentazione. Il dispositivo è adatto nei casi in cui è richiesta un'elevata capacità di tensione da drain a sorgente e una gestione della corrente moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale Vds 800 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 4,4 A per un'erogazione di carico moderata • Rds(on) di 1,35 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 62,5 W supporta un carico termico sostenuto • Carica gate tipica 16,5 nC per un controllo di commutazione prevedibile • Temperatura d'esercizio massima di 150 °C per ambienti ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per i front-end dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per la commutazione sul lato di rete nei comandi di illuminazione • Può essere utilizzato per circuiti snubber o a morsetto nei moduli di potenza • Adatto per la prototipazione e la riparazione in assemblaggi a foro passante

Quale gamma di tensione di gate devo applicare per un funzionamento sicuro?

Il dispositivo accetta fino a 30 V tra gate e sorgente

i progetti in genere utilizzano livelli di azionamento del gate compatibili con questo massimo per evitare sovratensioni del gate.

In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del driver?

Una carica di gate da 16,5 nC all'azionamento del gate nominale determina la corrente di pilotaggio richiesta e le perdite di commutazione

scegliere un driver in grado di fornire una corrente di picco sufficiente per la velocità di commutazione desiderata.

Quali temperature ambientali può sopportare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, pertanto la gestione termica e le considerazioni di giunzione con l'ambiente rimangono importanti a temperature elevate.

Quale stile di montaggio richiede sul circuito stampato?

Si tratta di un componente a foro passante in un corpo IPAK, pertanto i progetti devono includere fori e tamponi di saldatura appropriati per la stabilità meccanica e il trasferimento di calore.