MOSFET Vishay, canale N 800 V, 1.44 Ω Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU4N80AE-GE3

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Codice RS:
188-4879
Codice costruttore:
SIHU4N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHU4N80AE

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.44Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (CISS)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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