MOSFET Vishay, canale N 800 V, 1.44 Ω Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU4N80AE-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

10,01 €

(IVA esclusa)

12,21 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,002 €10,01 €
50 - 1201,818 €9,09 €
125 - 2451,72 €8,60 €
250 - 4951,64 €8,20 €
500 +1,602 €8,01 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4943
Codice costruttore:
SIHU4N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHU4N80AE

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.44Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (CISS)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.