MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.44 Ω Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante SIHU4N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4943
Codice costruttore:
SIHU4N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHU4N80AE

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.44Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (CISS)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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