MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IPU80R900P7AKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2559
Codice costruttore:
IPU80R900P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V Cool MOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni fly-back tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché ai componenti della concorrenza testati in applicazioni flyback tipiche. Inoltre, consente progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e migliori prodotti DPAK RDS(ON).

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