MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 75 unità*

58,50 €

(IVA esclusa)

71,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1425 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
75 +0,78 €58,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-9109
Codice costruttore:
IPS80R900P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.35 mm

Standard automobilistico

No

La più recente serie Infineon CoolMOS P7 800V rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di giunzione super 800V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di giunzione super di Infineon da oltre 18 anni. Questi sono facili da guidare e da collegare in parallelo, consentendo una maggiore densità di potenza, risparmi BOM e costi di assemblaggio ridotti.

Portafoglio completamente ottimizzato

Diodo Zener integrato con protezione ESD

Link consigliati