MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS80R900P7AKMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 15 unità*

15,075 €

(IVA esclusa)

18,39 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1455 unità in spedizione dal 02 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
15 - 601,005 €15,08 €
75 - 1350,955 €14,33 €
150 - 3600,914 €13,71 €
375 - 7350,875 €13,13 €
750 +0,813 €12,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9110
Codice costruttore:
IPS80R900P7AKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.35 mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

La più recente serie Infineon CoolMOS P7 800V rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di giunzione super 800V e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di giunzione super di Infineon da oltre 18 anni. Questi sono facili da guidare e da collegare in parallelo, consentendo una maggiore densità di potenza, risparmi BOM e costi di assemblaggio ridotti.

Portafoglio completamente ottimizzato

Diodo Zener integrato con protezione ESD

Link consigliati