MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 168-6701
Codice costruttore:: STD3NK80Z-1
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 75)**

1,38 €

(IVA esclusa)

1,68 €

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45 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
75 - 75	1,38 €	103,50 €
150 +	1,298 €	97,35 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6701
Codice costruttore:: STD3NK80Z-1
Costruttore:: STMicroelectronics

STD3NK80Z, STD3NK80Z-1 Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.6mm
Altezza	6.2mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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