MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 687-5352
Codice costruttore:: STD3NK80Z-1
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,752 €

(IVA esclusa)

2,137 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	1,752 €	8,76 €
25 - 45	1,644 €	8,22 €
50 - 120	1,562 €	7,81 €
125 - 245	1,47 €	7,35 €
250 +	1,398 €	6,99 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 687-5352
Codice costruttore:: STD3NK80Z-1
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.6mm
Larghezza	2.4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	6.2mm