MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SiHD5N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2852
Codice costruttore:
SiHD5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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