MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SiHD5N80AE-GE3
- Codice RS:
- 228-2852
- Codice costruttore:
- SiHD5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
9,28 €
(IVA esclusa)
11,32 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1740 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,928 € | 9,28 € |
| 100 - 240 | 0,90 € | 9,00 € |
| 250 - 490 | 0,854 € | 8,54 € |
| 500 - 990 | 0,816 € | 8,16 € |
| 1000 + | 0,77 € | 7,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2852
- Codice costruttore:
- SiHD5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.35Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale. È fornito in un contenitore compatto TO-252 a montaggio superficiale ed è adatto per le applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione e una capacità di corrente continua moderata in un ingombro ridotto.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tolleranza di drenaggio di 850 V consente l'integrazione di sistemi ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 4,4 A supporta la commutazione del carico moderato • Rds(on) di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico • La carica gate tipica di 11 nC consente una progettazione efficiente del gate drive • La dissipazione di potenza di 62,5 W gestisce il carico termico in layout compatti • La temperatura di giunzione massima di 150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per SMPS e convertitori nei sistemi di controllo industriali • Ideale per le topologie flyback e boost negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione lato linea in driver LED e comandi di illuminazione • Può essere utilizzato per le fasi di pre-regolazione ad alta tensione nei caricabatterie
Quali sono i limiti dell'azionamento del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?
La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare lo stress dielettrico gate durante le transizioni di commutazione.
In che modo il margine termico influisce sulle scelte di layout del circuito stampato?
Con una dissipazione nominale di 62,5 W e un'elevata capacità di giunzione, i progettisti devono fornire un'adeguata area in rame o vie termiche per rimuovere il calore dal modello di terra TO-252.
Questo dispositivo è adatto per i sistemi automobilistici?
Non è specificato per l'uso standard automobilistico e non deve essere selezionato nei casi in cui la qualifica automobilistica è obbligatoria.
Quali compromessi di commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?
La carica di gate 11 nC bilancia la velocità di commutazione e l'energia di azionamento, richiedendo driver di gate dimensionati per i tempi di salita/discesa desiderati e la frequenza di commutazione.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHU5N80AE-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SiHA5N80AE-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 450 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHD11N80AE-T1-GE3
- MOSFET Vishay 950 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHD6N80AE-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 1.35 Ω 3 Pin Superficie SIHP5N80AE-GE3