MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 228-2851
Codice costruttore:: SiHD5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 228-2851
Codice costruttore:: SiHD5N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	850V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.35Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	11nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V
	Serie E
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale. È fornito in un contenitore compatto TO-252 a montaggio superficiale ed è adatto per le applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione e una capacità di corrente continua moderata in un ingombro ridotto.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tolleranza di drenaggio di 850 V consente l'integrazione di sistemi ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 4,4 A supporta la commutazione del carico moderato • Rds(on) di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico • La carica gate tipica di 11 nC consente una progettazione efficiente del gate drive • La dissipazione di potenza di 62,5 W gestisce il carico termico in layout compatti • La temperatura di giunzione massima di 150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per SMPS e convertitori nei sistemi di controllo industriali • Ideale per le topologie flyback e boost negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione lato linea in driver LED e comandi di illuminazione • Può essere utilizzato per le fasi di pre-regolazione ad alta tensione nei caricabatterie

Quali sono i limiti dell'azionamento del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?

La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare lo stress dielettrico gate durante le transizioni di commutazione.

In che modo il margine termico influisce sulle scelte di layout del circuito stampato?

Con una dissipazione nominale di 62,5 W e un'elevata capacità di giunzione, i progettisti devono fornire un'adeguata area in rame o vie termiche per rimuovere il calore dal modello di terra TO-252.

Questo dispositivo è adatto per i sistemi automobilistici?

Non è specificato per l'uso standard automobilistico e non deve essere selezionato nei casi in cui la qualifica automobilistica è obbligatoria.

Quali compromessi di commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?

La carica di gate 11 nC bilancia la velocità di commutazione e l'energia di azionamento, richiedendo driver di gate dimensionati per i tempi di salita/discesa desiderati e la frequenza di commutazione.