MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SiHD5N80AE-GE3

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Codice RS:
228-2851
Codice costruttore:
SiHD5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-252

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e l'amplificazione nell'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una robusta capacità di blocco e una gestione della corrente continua moderata, occupando al contempo un ingombro TO-252 a montaggio superficiale.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain-source di 850 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 1,35 Ω supporta perdite di conduzione controllate
• corrente di drenaggio continua di 4,4 A per un funzionamento a carico costante
• Dissipazione massima di 62,5 W per prestazioni termiche
• Carica gate tipica di 11 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Limite gate-source 30 V che consente intervalli gate-drive standard

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per le fasi di regolazione della potenza in modalità commutata
• Può essere utilizzato per circuiti di interfaccia di telecomunicazioni e linee di servizio pubblico
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quale intervallo di temperatura d'esercizio posso aspettarmi per un funzionamento affidabile?


Il dispositivo funziona da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Come considerare la progettazione dell'azionamento gate con questo componente?


Progettato per un Vgs massimo di 30 V e tenendo conto della carica di gate tipica di 11 nC quando si dimensionano i driver per soddisfare i requisiti di velocità di commutazione e corrente di azionamento.

Quali considerazioni sull'imballaggio e sul montaggio si applicano all'assemblaggio?


È fornito in un contenitore TO-252 destinato al montaggio superficiale, pertanto è necessario pianificare lo schema di terra e le vie termiche per gestire la dissipazione di potenza.

È adatto per progetti certificati per il settore automobilistico?


Non è specificato per soddisfare gli standard automobilistici, pertanto deve essere valutato in base a qualsiasi requisito specifico del veicolo prima dell'uso.

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