MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 4.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SiHD5N80AE-GE3
- Codice RS:
- 228-2851
- Codice costruttore:
- SiHD5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2851
- Codice costruttore:
- SiHD5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.35Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e l'amplificazione nell'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una robusta capacità di blocco e una gestione della corrente continua moderata, occupando al contempo un ingombro TO-252 a montaggio superficiale.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale drain-source di 850 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Rds(on) di 1,35 Ω supporta perdite di conduzione controllate
• corrente di drenaggio continua di 4,4 A per un funzionamento a carico costante
• Dissipazione massima di 62,5 W per prestazioni termiche
• Carica gate tipica di 11 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Limite gate-source 30 V che consente intervalli gate-drive standard
• Rds(on) di 1,35 Ω supporta perdite di conduzione controllate
• corrente di drenaggio continua di 4,4 A per un funzionamento a carico costante
• Dissipazione massima di 62,5 W per prestazioni termiche
• Carica gate tipica di 11 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Limite gate-source 30 V che consente intervalli gate-drive standard
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per le fasi di regolazione della potenza in modalità commutata
• Può essere utilizzato per circuiti di interfaccia di telecomunicazioni e linee di servizio pubblico
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per le fasi di regolazione della potenza in modalità commutata
• Può essere utilizzato per circuiti di interfaccia di telecomunicazioni e linee di servizio pubblico
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Quale intervallo di temperatura d'esercizio posso aspettarmi per un funzionamento affidabile?
Il dispositivo funziona da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.
Come considerare la progettazione dell'azionamento gate con questo componente?
Progettato per un Vgs massimo di 30 V e tenendo conto della carica di gate tipica di 11 nC quando si dimensionano i driver per soddisfare i requisiti di velocità di commutazione e corrente di azionamento.
Quali considerazioni sull'imballaggio e sul montaggio si applicano all'assemblaggio?
È fornito in un contenitore TO-252 destinato al montaggio superficiale, pertanto è necessario pianificare lo schema di terra e le vie termiche per gestire la dissipazione di potenza.
È adatto per progetti certificati per il settore automobilistico?
Non è specificato per soddisfare gli standard automobilistici, pertanto deve essere valutato in base a qualsiasi requisito specifico del veicolo prima dell'uso.
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