MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 450 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 228-2848
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 450 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 228-2848
Codice costruttore:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	850V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	450mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	78W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	28nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V
	Serie E
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 78W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in progetti di potenza industriali. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è adatto per circuiti che richiedono un'elevata capacità di tensione di drenaggio alla sorgente e una gestione della corrente continua moderata in ambienti a temperatura elevata.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima da drain a sorgente di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta requisiti di azionamento del carico moderati • L'Rds(on) di 450 mΩ riduce le perdite di conduzione nei circuiti ad alta tensione • La dissipazione di potenza massima di 78 W consente una maggiore capacità termica • La tolleranza del gate di 30 V consente robusti margini di azionamento del gate • La carica tipica del gate 28 nC favorisce prestazioni di commutazione prevedibili

Applicazioni

• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali • Utilizzato per regolatori elettronici di ballast e illuminazione • Può essere utilizzato per la gestione dell'energia e i moduli di condizionamento dell'alimentazione • Adatto per gli stadi degli inverter di media potenza nei sistemi di automazione

Quale formato di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?

È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin per la saldatura su circuito stampato.

A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?

È specificato per il funzionamento da -55 °C fino a un massimo di 150 °C.

In che modo la sua caratteristica di gate influisce sulla progettazione della commutazione?

La carica di gate tipica di 28 nC all'azionamento del gate nominale fornisce stime della corrente di azionamento e della perdita di commutazione per la selezione del driver del gate.

Qual è la potenza continua massima che il dispositivo può dissipare?

Il dispositivo può dissipare fino a 78 W in condizioni di gestione termica appropriate.