MOSFET Vishay, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 200-6866
Codice costruttore:: SIHD6N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,485 €

(IVA esclusa)

0,592 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,485 €	1.455,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 200-6866
Codice costruttore:: SIHD6N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Document- SIHD6N80AE-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,2 A, 5 A
Tensione massima drain source	850 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	E
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,95 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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