MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 950 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante SIHU6N80AE-GE3
- Codice RS:
- 200-6868
- Codice costruttore:
- SIHU6N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1806,00 €
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2202,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,602 € | 1.806,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 200-6868
- Codice costruttore:
- SIHU6N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 950mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 950mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il Vishay SIHU6N80AE-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.
Bassa figura di merito
Bassa capacità effettiva (Ciss)
Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Carica del gate ultrabassa (Qg)
Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)
Protezione ESD con diodo Zener integrato