MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 950 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante SIHU6N80AE-GE3

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Codice RS:
200-6868
Codice costruttore:
SIHU6N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

E

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHU6N80AE-GE3 è un MOSFET di potenza serie E.

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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