MOSFET Vishay, canale N 850 V, 950 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHP6N80AE-GE3

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Codice RS:
228-2880
Codice costruttore:
SiHP6N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

E

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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