MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8.1 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF840STRL-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2657
Codice costruttore:
SIHF840STRL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

SiHF840S

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

850mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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