MOSFET Vishay, canale N, 450 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6088
Codice costruttore:: SIHF634S-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 450 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

0,924 €

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1,127 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	0,924 €	46,20 €
100 - 200	0,868 €	43,40 €
250 - 450	0,785 €	39,25 €
500 - 1200	0,739 €	36,95 €
1250 +	0,693 €	34,65 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6088
Codice costruttore:: SIHF634S-GE3
Costruttore:: Vishay

IRF634S, SiHF634S, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,1 A
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	450 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	41 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 450 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

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