MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB081N06L3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9525
Codice costruttore:
IPB081N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

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