MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5999
Codice costruttore:: SIHF840STRL-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

1,201 €

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1,465 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	1,201 €	960,80 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5999
Codice costruttore:: SIHF840STRL-GE3
Costruttore:: Vishay

IRF840S, SiHF840S, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,1 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	850 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 8,1 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor

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